Оперативная память EXCELERAM SODIMM DDR3 4GB 1600 MHZ (E30170A)

Код товара: 37570

Сравнить

410грн

Купить

Доставка по Одессе Бесплатная!

Доставка в пределах Одессы при заказе на сумму свыше 3000 грн бесплатна!

Стоимость доставки товаров до 3000 грн составляет 50 грн.

Доставка в посёлок Котовского - 80 грн.

Крупногабаритные товары При наличии лифта занос товара бесплатный, при отсутствии стоимость подъема определяется на месте в зависимости от габаритов, массы и сложности (20-50 грн/этаж).

Краткое описание:
DDR3 / 1 модуль 4 Гб / 1600 МГц / SODIMM 204-контактный / 1.5 В

Основные характеристики
Описание
Отзывы

Основные характеристики

Производитель:	eXceleram
Тип памяти: Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте. DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты. DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка. При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.	DDR3
Объем:	1 модуль 4 Гб
Тактовая частота: Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость.	1600 МГц
Поддержка ECC: Поддержка Error Checking and Correction - алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.	нет
Форм-фактор: Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM. SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти. DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти. Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM. SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные. MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2. RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта. Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.	SODIMM 204-контактный

Тайминги

CAS Latency (CL): CAS Latency, CAS - это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.

Дополнительно

Напряжение питания: Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.

1.5 В

Гарантия:

12 месяцев

*Характеристики товара могут менятся производителем без уведомления

DDR3-1600 204pin Unbuffered SO-DIMM CL11 Capacity : 4GB (1x4GB) Single Channel CL-tRCD-tRP-tRAS : 11-11-11-27 Voltage : 1.50V / Heatsink : w/o

показать все...

Нет отзывов.

Написать отзыв